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J-GLOBAL ID：200903036979113510

二次イオン質量分析方法

Inventor： 植木 裕子
Applicant, Patent owner： 富士電機ホールディングス株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003412111
Publication number (International publication number)：2005172587
Application date： Dec. 10, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：

【目的】分析対象部位が試料の端部に位置するものにおいても高精度の分析が可能な方法を得る。 【構成】分析対象部位2が端部にある試料1を容器3の中に入れ、導電性樹脂5を注入、硬化させ、硬化後容器3より取出すことにより、試料1の分析対象部位2に近接する側面に分析対象部位2とほぼ同一平面を有する導電性領域を形成して測定に用いる試料とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

一次イオンを試料に照射し、試料より放出される二次イオンを質量分離して試料の構成成分の元素分析を行う二次イオン質量分析方法で、分析対象部位が試料の端部に位置する場合において、分析対象部位が位置する試料の前記端部の側面に導電性物質を密着させて分析対象部位と略同一平面を有する導電性領域を形成し、導電性物質で周囲を取り囲んだ分析対象部位に一次イオンを照射して元素分析を行うことを特徴とする二次イオン質量分析方法。

IPC (3)：

G01N23/225 ,  G01N1/36 ,  G01N27/62

FI (3)：

G01N23/225 ,  G01N27/62 H ,  G01N1/28 R

F-Term (18)：

2G001AA05 ,  2G001BA06 ,  2G001CA05 ,  2G001GA08 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA10 ,  2G001NA04 ,  2G001NA13 ,  2G001NA17 ,  2G001RA10 ,  2G001RA20 ,  2G001SA10 ,  2G052AD32 ,  2G052AD55 ,  2G052FA02 ,  2G052GA18 ,  2G052JA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平1-107446号公報
  
• 二次イオン質量分析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-268463   Applicant：富士電機株式会社