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J-GLOBAL ID：200903036979295456

気相成長装置

Inventor： 成富 康夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014880
Publication number (International publication number)：1993211125
Application date： Jan. 30, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】気相成長装置のエッチング工程でチャンバー内に付着する粉体を低減させ、チャンバー内に置かれたウェハースへのパーティクル汚染を防止する。【構成】チャンバー1の内部に、400〜500°Cに加熱されたテーブルと、チャンバー1内にガスを導入する為のガス導入口4と、チャンバー1内を真空に排気する為の排気口5を有し、又、チャンバー1の壁面,底面及び上面にはチャンバー1を50〜200°Cに加熱するヒーター6を有しエッチングガスの固体化を防ぐ。

Claim (excerpt)：

真空に排気されたチャンバーの内部に加熱されたテーブルを有し、このテーブルにウェハースを置き、チャンバーにガスを導入することによりウェハースに薄膜を形成させる気相成長装置において、チャンバーの壁面、底面及び上面にヒーターを有することを特徴とする気相成長装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31