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J-GLOBAL ID：200903036989609050

高周波信号用スイッチを含む移相器

Inventor： チャールズ エル.ゴールドスミス ,  ブラッドリー エム.カナック ,  ツェン - ファング リン ,  ビル アール.ノーベル ,  リリー ワイ.パング ,  ビリー ビー.パワーズ,ジュニア ,  チャールズ エム.ローズ ,  デビッド ジェイ.セイモアー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995284005
Publication number (International publication number)：1996213803
Application date： Oct. 31, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 低電力消費、低コスト、線形性であり、制御用CMOS回路等と共に集積されるのに適したスイッチを含む各種システムを可能とする。【解決手段】 このスイッチでは、例えば、基板面上の絶縁スペーサ開口内にマイクロストリップセグメント802、803、これらを挟む電極805、806が配置され、スペーサ上に支持され開口をまたぐ誘電体膜812の表面に金属薄膜815、816、金属板825が取り付けられる。電極及び金属薄膜が共に接地されるとき誘電体膜は平坦でスイッチは開く。電極と金属薄膜との間に正電圧を印加すると電極が膜812を引き下げて金属板825にセグメント802、803をブリッジさせこれらを誘導結合しスイッチを閉じる。電圧を解除すると膜812は平坦へ復帰する。スイッチは、ほぼマイクロ秒内に動作し、マイクロ波アレイ内に有効な多投スイッチに集積されて移相器、フィルタ等を構成する。

Claim (excerpt)：

移相器であって、(a) 直列に配置された複数のスイッチ可能移相素子、及び(b) 連続する前記移相素子間の接続を含み、(c) 前記移相素子の各々が偏向可能素子を備える少なくとも1つのスイッチを含み、前記少なくとも1つのスイッチの設定が前記移相素子を通る信号に対する移相を決定する、移相器。

IPC (3)：

H01P 1/15 ,  H01P 1/185 ,  H01P 1/203