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J-GLOBAL ID：200903037005859006
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994080340
Publication number (International publication number)：1995288254
Application date： Apr. 19, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 金属配線の段差が平坦化された半導体装置を得ること。【構成】 基板絶縁層1の上に第1の絶縁層2が設けられている。第1の絶縁層2の上に、第1の金属配線33a,第2の金属配線33bおよび第3の金属配線33cが、互いに離されて形成されている。第1の金属配線33aと第2の金属配線33bとのすき間部分に、第1のシリコン酸化膜5aが埋め込まれている。第2の金属配線33bと第3の金属配線33cとのすき間部分に、第2のシリコン酸化膜5bが埋め込まれている。第1のシリコン酸化膜5aと第2のシリコン酸化膜5bとは互いに分離している。
Claim (excerpt)：
基板絶縁層と、前記基板絶縁層の上に、互いに離されて形成された第1の金属配線、第2の金属配線および第3金属配線と、前記第1の金属配線と前記第2の金属配線とのすき間部分に埋め込まれた第1のシリコン酸化膜と、前記第2の金属配線と前記第3の金属配線とのすき間部分に埋め込まれた第2のシリコン酸化膜と、前記第1、第2、第3の金属配線および前記第1、第2のシリコン酸化膜を覆うように前記基板絶縁層の上に設けられた絶縁層と、を備え、前記第1のシリコン酸化膜と前記第2のシリコン酸化膜とは互いに分離している、半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/316
