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J-GLOBAL ID：200903037010067231

MOSトランジスタの製造方法

Inventor： 向井 幹雄
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993325867
Publication number (International publication number)：1995153944
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 良好なキャリア移動度をもった素子が得られ、しかもこれを容易で実用的な工程で実現できるMOSトランジスタの製造方法を提供する。【構成】 半導体基板上に突部を形成し、?@該突部の基部をLOCOS法やイオン注入法等により絶縁化して該突部を分離して半導体領域とし、?A該半導体領域の対向する面に第1及び第2のゲート電極を形成する、あるいは?A?@の順の工程を備えるMOSトランジスタの製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に突部を形成し、該突部の基部を絶縁化して該突部を分離して半導体領域とし、該半導体領域の対向する面に第1及び第2のゲート電極を形成する工程を備えることを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の構造および製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-175407   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平2-263473
  
• 特開平3-245573