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J-GLOBAL ID：200903037015137688

III 族窒化物半導体素子およびその製造方法

Inventor： 鈴木 健 ,  松井 俊之 ,  大井 明彦 ,  上條 洋 ,  松山 秀昭
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997125238
Publication number (International publication number)：1998321954
Application date： May. 15, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】電流路に高抵抗部分がなく、動作時に発熱の少ないAlx Gay In1-x-y N からなるIII 族窒化物半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上1sにAlx Gay In1-x-y N (0≦x、y、かつx+y≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜 3〜7 が積層されてなり、最終のIII族窒化物半導体薄膜の上に電極層8aが形成されているIII 族窒化物半導体素子において、前記基板と前記III 族窒化物半導体薄膜の間には、金属導電性を示し、岩塩型または六方晶系の結晶構造である遷移金属窒化物からなるバッファ層2cを介在させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にAlx Gay In1-x-y N (0≦x、y、かつx+y≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜が積層されてなり、最終のIII 族窒化物半導体薄膜の上に電極層が形成されているIII 族窒化物半導体素子において、前記基板と前記III 族窒化物半導体薄膜の間には、金属導電性を示し、岩塩型または六方晶系の結晶構造である遷移金属窒化物からなるバッファ層を介在させることを特徴とするIII 族窒化物半導体半導体素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C