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J-GLOBAL ID：200903037016047909

窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタ

Inventor： 宮本 広信 ,  安藤 裕二 ,  中山 達峰 ,  岡本 康宏 ,  井上 隆 ,  葛原 正明 ,  幡谷 耕二
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社 ,  古河電気工業株式会社
Agent (1)： 池田 憲保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003421001
Publication number (International publication number)：2005183597
Application date： Dec. 18, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：

【課題】 ゲートリーク電流が小さく、かつドレイン電流の時間的変動の無い高電圧動作高出力MIS型窒化物半導体トランジスタを提供する。【解決手段】 窒化物半導体3の表面とゲート電極2の間にゲート絶縁膜を有する窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタであって、ゲート絶縁膜が窒素を含むアルミニウムの酸化物7である。窒素を含むアルミの酸化物7をゲート絶縁膜に用いることにより、膜中のリークパスを無くし、また窒化物半導体3に対して十分な障壁高さを得ることによりゲートリーク電流を低減すると共に、ドレイン電流の時間的変動の主要因となる半導体界面に発生する界面準位を抑制する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体表面とゲート電極の間にゲート絶縁膜を有する窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタにおいて、 上記ゲート絶縁膜が窒素を含むアルミニウムの酸化物であることを特徴とする窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタ。

IPC (1)：

H01L29/78

FI (2)：

H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G

F-Term (23)：

5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG30 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140CC03 ,  5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225077   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-056788   Applicant：ソニー株式会社
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225077   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭64-023571
  
• 特開昭64-082671
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• GaN:Processing,defects,and devices
• The effects of oxidation temperature on the capacitance-voltage characteristics of oxidatized AlN fi