プラズマCVDによるアモルファスシリコンの成膜方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山田義人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993067857
Publication number (International publication number)：1994283435
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【構成】プラズマCVD装置10において、ガス加熱ヒータ22によって、材料ガスをプラズマ領域26に導入する前に加熱する。【効果】基板20の温度を高くすることなしに光学ギャップを十分狭くすることができる。

Claim (excerpt)：

プラズマ領域にアモルファスシリコンを構成する材料ガスを導入するプラズマCVDによるアモルファスシリコンの成膜方法において、前記材料ガスを前記プラズマ領域に導入する前に加熱することを特徴とする、成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭57-113214
特開昭63-124514
特開平3-214724

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