高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001393302
Publication number (International publication number)：2003192733
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 09, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】式(1a)及び(1b)の繰り返し単位を含む高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>及びR<SP>2</SP>はH、F、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>3</SP>はF、又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>4</SP>は酸不安定基、密着性基、又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>5</SP>は酸素原子又は硫黄原子、R<SP>6a</SP>、R<SP>6b</SP>、R<SP>6c</SP>及びR<SP>6d</SP>は、H、OH、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>C(R<SP>7</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>8</SP>)、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>8</SP>、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R<SP>7</SP>はH、F、又はフッ素化されたアルキル基。R<SP>8</SP>はH、酸不安定基、密着性基、又はフッ素化されたアルキル基、0<a<1、0<b<1、0<a+b≦1、cは0又は1、0≦d≦6。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1a)及び(1b)の繰り返し単位を含むことを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>及びR<SP>2</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>5</SP>は酸素原子又は硫黄原子である。R<SP>6a</SP>、R<SP>6b</SP>、R<SP>6c</SP>及びR<SP>6d</SP>は、水素原子、水酸基、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>C(R<SP>7</SP>)<SB>2</SB>(OR<SP>8</SP>)、-(CH<SB>2</SB>)<SB>d</SB>CO<SB>2</SB>R<SP>8</SP>、又は置換基内に水酸基又はエーテル結合の形で酸素を含有可能な炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>7</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>8</SP>は水素原子、酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。0<a<1、0<b<1であり、0<a+b≦1である。cは0又は1である。0≦d≦6である。)

IPC (4)：

C08F220/10 , C08F234/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4)：

C08F220/10 , C08F234/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (73)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 4J100AL08P , 4J100AL16P , 4J100AL21P , 4J100AL26P , 4J100AR31Q , 4J100AR32Q , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA16Q , 4J100BA20P , 4J100BA20Q , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB12P , 4J100BB12Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC07P , 4J100BC07Q , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC22P , 4J100BC22Q , 4J100BC23P , 4J100BC23Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC54P , 4J100BC54Q , 4J100BC58P , 4J100BC58Q , 4J100BC66P , 4J100BC66Q , 4J100BC79P , 4J100BC79Q , 4J100CA04 , 4J100DA01 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

フォトレジスト単量体、フォトレジスト重合体、フォトレジスト重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-122435 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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