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J-GLOBAL ID：200903037027321948

光半導体装置及びその形成方法

Inventor：
末永 良馬

About 末永 良馬

, 
松岡 洋一

About 松岡 洋一


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社

, 
富士機工電子株式会社

About 富士機工電子株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023236
Publication number (International publication number)：2000223752
Application date： Jan. 29, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】SMD(Surface Maunt Device)などとして利用される表面実装用の光半導体装置に係わり、特に小型化可能であり、信頼性の高い光半導体装置及びその形成方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、貫通孔が形成された絶縁性平板の一方の面側に設けられ該絶縁性平板よりも薄い薄板と、貫通孔を利用したキャビティ底面の薄板上に少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によりダイボンドされた光半導体素子と、絶縁性平板に設けられた光半導体素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、キャビティ内の光半導体素子を被覆する透光性樹脂とを有する光半導体装置であり、特に薄板の表面は、少なくとも樹脂又は多孔質材料である光半導体装置である。
Claim (excerpt)：
貫通孔が形成された絶縁性平板の一方の面側に設けられ該絶縁性平板よりも薄い薄板と、前記貫通孔を利用したキャビティ底面の薄板上に少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によりダイボンドされた光半導体素子と、前記絶縁性平板に設けられた光半導体素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、前記キャビティ内の光半導体素子を被覆する透光性樹脂とを有する光半導体装置であって、前記キャビティ底面を構成する薄板の表面は、少なくとも樹脂又は多孔質材料であることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 31/02
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 31/02 B
F-Term (17)：
5F041AA43 ,  5F041AA47 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DA74 ,  5F041DA78 ,  5F041DA81 ,  5F088AA01 ,  5F088BA10 ,  5F088BA11 ,  5F088BA15 ,  5F088JA03 ,  5F088JA06 ,  5F088JA10 ,  5F088LA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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