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J-GLOBAL ID：200903037034685777

DFBレーザダイオード及びその製造方法

Inventor： 小路 元
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020255
Publication number (International publication number)：1993095165
Application date： Feb. 05, 1992
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は新規なDFBレーザダイオードに関し、広い範囲で周波数を変移させることのできるDFBレーザダイオードを提供することを目的とする。【構成】 DFBレーザダイオードを構成する活性層中において、軸方向上での光強度分布が最大になる領域において、線幅増大係数を他の領域よりも選択的に減少させる。

Claim (excerpt)：

λ/4シフト型DFBレーザダイオードにおいて、活性層を、共振器方向に沿って順に第一の領域(13A )、第二の領域(13B )および第三の領域(13C )より形成し、前記第二の領域をλ/4位相シフト点に対応して形成し、前記第二の領域は前記第一および第三の領域よりも小さい線幅増大係数を有するように構成してなることを特徴とするDFBレーザダイオード。