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J-GLOBAL ID：200903037036583661

シリカ膜の形成方法、シリカ膜、絶縁膜および半導体装置

Inventor： 林 英治 ,  塩田 淳 ,  西川 通則 ,  山田 欣司
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001175600
Publication number (International publication number)：2002367984
Application date： Jun. 11, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁として、2.2以下の非常に低い比誘電率を示し、かつ機械的強度に優れた膜に関する。【解決手段】 (A)シロキサン化合物ならびに(B)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

(A)シロキサン化合物ならびに(B)前記(A)成分に相溶または分散し、沸点または分解温度が250〜450°Cである化合物を含む膜を超臨界媒質中で処理することを特徴とするシリカ膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 Q ,  H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 K

F-Term (23)：

5F033HH08 ,  5F033PP19 ,  5F033RR04 ,  5F033RR23 ,  5F033SS21 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AB06 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BB06 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02