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J-GLOBAL ID：200903037061270279

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079045
Publication number (International publication number)：1994268257
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光出力をさらに向上させる。【構成】 n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1)層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層の各膜厚は5オングストローム〜50オングストロームの範囲である

Claim (excerpt)：

n型窒化ガリウム系化合物半導体層と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(但し、Xは0<X<1)層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するIn<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層の各膜厚は5オングストローム〜50オングストロームの範囲であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。