半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996277750
Publication number (International publication number)：1998125617
Application date： Oct. 21, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】低抵抗でかつトランジスタのしきい値変動の無い安定で信頼性のあるポリサイド構造またはメタル構造の電極を、工程数が少なくかつプロセスマージンが十分にある量産性のある方法で実現すること。【解決手段】LP-CVD法によりポリシリコン膜4を約500nm形成し、酸素を含む不活性ガスを1〜10分間流して酸化性雰囲気にし、2nm程度の厚さの酸化シリコン層でなる拡散防止層5を形成する。ポリシリコン膜6を堆積し、ジクロロシランガスと六フッ化タングステンガスを用いてタングステンシリサイド膜7を堆積する。拡散防止層5により、フッ素がゲート酸化膜に拡散して厚くするのを阻止する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に配線用の導電膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記導電膜を形成する工程が、不純物の拡散防止作用を有し厚さ方向に導電性のある拡散防止層が含まれるシリコン膜を形成する工程と、該シリコン膜上にハロゲン化金属を少なくとも一つの原料ガスとしてシリサイド膜または金属膜を気相成長する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/28 301 D , H01L 21/88 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-012975 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249213 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-249197 Applicant：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

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