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J-GLOBAL ID：200903037068254961
半導体単結晶およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993188536
Publication number (International publication number)：1995041383
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、チョクラルスキー法(以下、CZ法)により製造された絶縁酸化膜の耐電圧特性(以下、酸化膜耐圧)の優れたシリコン単結晶およびその製造法を提供することを目的とする。【構成】 上記目的を達成するために本発明においては、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で1200°C〜850°Cの温度域を200分以上滞在させる。また、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶は、酸化膜耐圧特性のCモード合格率が1ウェーハにつき60%以上である様な、酸化膜耐圧が優れたシリコン単結晶である。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する過程において、結晶製造炉内で1200°C〜850°Cの温度域を200分以上滞在させることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。
IPC (5)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, C30B 33/02
, H01L 21/208
