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J-GLOBAL ID：200903037104268516
半導体薄膜の結晶化法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松川 克明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994138322
Publication number (International publication number)：1995321034
Application date： May. 26, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体薄膜中において、任意の位置に任意の大きさになった単結晶等の結晶を簡単に形成できるようにする。【構成】 半導体薄膜2中に導電率を高める元素の注入させたり、レーザを照射させたりして、半導体薄膜2中に導電率の異なる領域2a,2bを設け、この半導体薄膜2に交流磁場を印加させて渦電流による加熱を行い、この半導体薄膜2において結晶を固相成長させるようにした。
Claim (excerpt)：
半導体薄膜中に導電率の異なる領域を設け、この半導体薄膜に交流磁場を印加させて渦電流による加熱を行い、この半導体薄膜において結晶を固相成長させることを特徴とする半導体薄膜の結晶化法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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