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J-GLOBAL ID：200903037106272570

半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 植木 伸明 ,  布施 マリオ ,  中山 秀生 ,  福永 秀樹 ,  乙間 広己 ,  瀬古 保次
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 小堀 益 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993250704
Publication number (International publication number)：1995106693
Application date： Oct. 06, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 活性領域の両脇に屈折率の小さな層を直接配置したいわゆる実屈折率導波型を実現し、一層の低しきい値電流化、安定横モード化を図る。【構成】 第1導電型半導体基板上1に、第1導電型クラッド層2と、中央に量子井戸層5を有する導波路層6,7と、導波路層6を覆うカバー層7とを積層形成し、カバー層7の一部の領域を除いてカバー層7の上部から第1導電型不純物12を拡散し導波路層6,7及び量子井戸層5を混晶化し、その後カバー層7上に第2導電型クラッド層9、第2導電型キャップ層10、第2導電型コンタクト層10を積層形成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層と、中央に量子井戸層を有する導波路層と、同導波路層を覆うカバー層とを積層形成し、同カバー層の一部の領域を除き前記カバー層の上部から第1導電型不純物を拡散して前記導波路層及び量子井戸層を混晶化し、その後カバー層上に第2導電型クラッド層、第2導電型キャップ層、さらに第2導電型コンタクト層をそれぞれ積層形成する半導体レーザ素子の製造方法。