Pat

J-GLOBAL ID：200903037131998640

薄膜形成方法

Inventor： 石田 有親
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998285210
Publication number (International publication number)：2000114256
Application date： Oct. 07, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】プラズマCVD法により、膜質の良好な薄膜を高い成膜速度で形成することを可能とする薄膜形成方法を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、原料ガスに触媒9を作用させて、前記原料ガスに含まれる分子の少なくとも一部を分解する工程、前記触媒9を作用させた原料ガスをプラズマ処理して、前記分子を構成する元素の活性種を生成する工程、及び前記活性種を基板7の表面に供給して、前記基板7上に前記分子を構成する元素の少なくとも1種から実質的になる薄膜を形成する工程を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

原料ガスに触媒を作用させて、前記原料ガスに含まれる分子の少なくとも一部を分解する工程、前記触媒を作用させた原料ガスをプラズマ処理して、前記分子を構成する元素の活性種を生成する工程、及び前記活性種を基板の表面に供給して、前記基板上に前記分子を構成する元素の少なくとも1種から実質的になる薄膜を形成する工程を具備することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 B ,  H01L 21/31 C

F-Term (31)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030FA17 ,  4K030KA17 ,  4K030KA47 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045EF05 ,  5F045EF11 ,  5F045EH08 ,  5F045EH19 ,  5F045EK08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01