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J-GLOBAL ID:200903037138032775

多層電子回路パッケージの層の製造方法及び多層電子回路パッケージの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992155402
Publication number (International publication number):1993191042
Application date: Jun. 15, 1992
Publication date: Jul. 30, 1993
Summary:
【要約】【目的】 配線化され高分子カプセル化された金属コアを少なくとも一層有する多層電子回路パッケージにおいて、貫通孔および通路同士を高い精度で整合させ、従来の方法で形成されたものよりも均質な孔および通路を形成する。【構成】 金属コアへ金属箔を提供し(A)、金属箔に孔を形成する(A’)。ポリマーを金属箔へ接着させるため、接着増進剤を有孔金属箔へ塗る(B)。熱処理可能な誘電体ポリマー又はその前駆体を、孔の内壁を含む有孔金属箔の露出面上へ蒸着する(C)。誘電体ポリマーを熱処理すると、有孔金属箔の表面に均質なコンフォーマルコーティングが形成される(D)。その後、金属化及び配線化され、他の層へ積層される(E)。
Claim (excerpt):
少なくとも1つの層が高分子カプセル化された金属コアを含む多層電子回路パッケージの層を製造する方法であって、前記層の前記金属コアのために金属箔を提供ステップと、前記金属箔に少なくとも1つの孔を形成するステップと、ポリマーを前記有孔金属箔へ接着させるために、接着促進剤を前記有孔金属箔へ塗るステップと、熱処理可能な誘電体ポリマーあるいは前駆体を、前記孔の内壁を含む前記有孔金属箔の露出面上へ蒸着するステップと、前記誘電体ポリマーあるいは前駆体を熱処理して、そのほぼ均質なコンフォーマルコーティングを前記有孔金属箔の表面上に形成するステップと、前記誘電体ポリマーの前記表面を金属化するステップと、を含む多層電子回路パッケージの層の製造方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭62-014490
  • 特開平1-169990
  • 特開昭57-073992
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