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J-GLOBAL ID：200903037139951480

不揮発性メモリ及びその製造方法

Inventor： 田中 陽
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994101436
Publication number (International publication number)：1995312394
Application date： May. 17, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低電圧での書き換えが可能となる不揮発性メモリを提供する。【構成】 シリコン基板11上にトンネル酸化膜12、浮遊ゲート13、シリコン酸化膜14を形成し、シリコン酸化膜14上に、第1コントロールゲート15Aと第2コントロールゲート15Bとを独立して形成する。このような構造としたことにより、書き換え時の高電圧印加電極が二つに分散される。このため、書き換え時と読み出し時のカップリングレシオを変化させることにより、読み出し時のしきい値シフト△Vthを見掛け上大きくし、低い印加電圧にる、充分早い時間内でも読み出しに充分必要な△Vthを得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に第1ゲート絶縁膜を介して浮遊ゲートが形成され、その上に第2ゲート絶縁膜を介してコントロールゲートが形成され、該コントロールゲートに高電圧を印加して書き換えを行う不揮発性メモリにおいて、書き換えを行うための高電圧印加電極がコントロールゲートを含めて二つ以上設けられ、該電極の一つが読み出し時にVcc電圧が印加されることを特徴とする不揮発性メモリ。

IPC (3)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-294068
  
• 特開昭54-040043
  
• 特開平3-211874