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J-GLOBAL ID：200903037146623154

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Inventor： 佐藤 清
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999289702
Publication number (International publication number)：2001076319
Application date： Oct. 12, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来では、下部コア層上に絶縁層を形成し、絶縁層にトラック幅規制溝を形成し、その後前記溝の途中から前記絶縁層の表面にかけて間隔が徐々に広がる傾斜面を形成していたが、この方法であると、前記トラック幅規制溝を、レジスト層の解像度以下の幅寸法で形成することはできず、また前記傾斜面は左右対称に形成されず、ライトフリンジングを適正に防止することができなかった。【解決手段】 下部コア層10上に主絶縁層11を形成し、前記主絶縁層11の上に副絶縁層15を形成する。前記主絶縁層11には、トラック幅規制溝11aを形成し、副絶縁層15には、下部コア層10から離れるにしたがい間隔が広がる対向面15aを形成する。本発明の製造方法によれば、前記溝11aの幅を、レジストの解像度以下の幅で形成でき、しかも前記対向面15aを左右対称に形成できる。

Claim (excerpt)：

下部コア層と、上部コア層と、両コア層の間に位置する少なくとも1層の絶縁層とを有し、前記絶縁層にはトラック幅規制溝が形成され、このトラック幅規制溝内に、前記下部コア層と連続する下部磁極層及び/または上部コア層と連続する上部磁極層、ならびに前記一方のコア層とこれに対向する前記一方の磁極層との間または両磁極層の間に位置する磁気ギャップ層が設けられており、前記絶縁層は、下部コア層側に位置する少なくとも1層の主絶縁層と、その上に形成された少なくとも1層の副絶縁層から成り、少なくとも前記主絶縁層に前記トラック幅規制溝が形成され、前記副絶縁層に、前記トラック幅規制溝の両側部の上端から前記副絶縁層の表面にかけて、徐々に前記トラック幅方向の間隔が広がる対向面が形成されており、前記対向面上に、前記上部磁極層及び/または上部コア層が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

FI (2)：

G11B 5/31 D ,  G11B 5/31 C

F-Term (7)：

5D033BA08 ,  5D033BA12 ,  5D033BA42 ,  5D033CA02 ,  5D033DA03 ,  5D033DA08 ,  5D033DA31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-336488   Applicant：三菱電機株式会社
• 薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-252083   Applicant：ティーディーケイ株式会社