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J-GLOBAL ID：200903037148305265

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 中島 康雄
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991323925
Publication number (International publication number)：1993136526
Application date： Nov. 11, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 周波数特性に優れ、かつ高い信頼性を有する半導体レーザ及びその製造方法を得ることを目的とする。【構成】 ダブルヘテロストラクチャー層からなる導波路を形成し、その導波路を電流ブロック層で埋め込む埋め込み型(BH)レーザにおいて、その導波路もしくは導波路と電流ブロック層の一部からなるストライプ領域の両側にメサエッチングを施して溝を形成し、その溝をメッキを用いて埋め込みを行った。【効果】 メッキを通してストライプ両側に放熱することができることから、高出力動作が可能となり、緩和振動周波数の改善が図れ、かつ寄生容量の低減も図れるので大幅な周波数特性の改善が図れる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にダブルヘテロストラクチャー層からなるストライプ状の導波路を形成し、前記ストライプ状の導波路を電流ブロック層で埋め込み、前記ストライプ状の導波路の両側にメサ溝を形成し、前記メサ溝内にメッキを埋め込んでなることを特徴とする半導体レーザ。