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J-GLOBAL ID：200903037151539978
不揮発性半導体メモリ装置の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995113841
Publication number (International publication number)：1995288292
Application date： Jan. 14, 1980
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 ディプレッション領域制御型電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリ装置を作製する。【構成】 半導体基板1上部に一対の不純物領域と前記不純物領域間にチャネル形成領域を有し、前記半導体基板上に絶縁膜8と該絶縁膜上に半導体のフローテイングゲートと、前記フローテイングゲート上には絶縁膜と、制御用電極9とが設けられた不揮発性メモリ装置の作製方法において、前記半導体基板上の絶縁膜をイオン注入法により20〜200Åの厚さの窒化珪素膜として形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上部に一対の不純物領域と前記不純物領域間にチャネル形成領域を有し、前記半導体基板上に絶縁膜と該絶縁膜上に半導体のフローテイングゲートと、前記フローテイングゲート上には絶縁膜と、制御用電極とが設けられた不揮発性メモリ装置の作製方法において、イオン注入法により前記半導体表面近傍に窒素を注入して20〜200Åの厚さの窒化珪素膜を前記半導体基板上に形成することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置の作製方法。
IPC (4)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
