半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995190034
Publication number (International publication number)：1997045633
Application date： Jul. 26, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【目的】高いアスペクト比の微細ホールを容易に、かつ的確に形成することができる半導体集積回路装置における微細ホールの形成方法を提供する。【構成】下層絶縁膜としてのCVD酸化膜23の上にアモルファスカーボン薄膜24を形成する工程と、このアモルファスカーボン薄膜24上にフォトレジスト薄膜25を形成する工程と、フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜25をマスクに前記アモルファスカーボン薄膜24をエッチングし、そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜24とフォトレジスト薄膜25をマスクとして前記CVD酸化膜23をエッチングしてコンタクトホール29を開口する工程とを施す。

Claim (excerpt)：

(a)下層絶縁膜の上にアモルファスカーボン薄膜を形成する工程と、(b)該アモルファスカーボン薄膜上にフォトレジスト薄膜を形成する工程と、(c)フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜をマスクに前記アモルファスカーボン薄膜をエッチングし、そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜とフォトレジスト薄膜をマスクとして前記下層絶縁膜をエッチングしてホールを開口する工程とを施すことを特徴とする半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 27/06

FI (5)：

H01L 21/28 L , H01L 21/28 U , H01L 21/302 M , H01L 21/90 C , H01L 27/06 102 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-296074 Applicant：株式会社東芝
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-075948 Applicant：富士通株式会社
a-Cによる反射防止
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-048877 Applicant：富士通株式会社

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