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J-GLOBAL ID：200903037163890247
薄膜トランジスタの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992331176
Publication number (International publication number)：1994163588
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ポリシリコン薄膜を活性層とする薄膜トランジスタにおいて、移動度を高くする。【構成】 絶縁基板1の上面にポリシリコン層2を厚めに例えば数μm堆積する。この状態では、ポリシリコン層2の表面には結晶粒界に起因する数百Åの凹凸3が形成されている。次に、コロイダルシリカ等の研磨剤を使い、上面にポリシリコン層2が形成された絶縁基板1と研磨布を回転させて、ポリシリコン層2の表面を化学的機械的に鏡面研磨すると、表面を平坦とされたポリシリコン薄膜4が形成される。この状態では、ポリシリコン薄膜4の膜厚は数百Å例えば500Å程度となっている。この結果、チャネル領域となる部分の表面も平坦となり、したがってキャリアの散乱が少なくなり、移動度を高くすることができる。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上にポリシリコン層を厚めに堆積し、該ポリシリコン層の表面を研磨することにより、活性層となる、表面が平坦なポリシリコン薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 29/78 311 Y
, H01L 29/78 311 H
