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J-GLOBAL ID：200903037164062968

マルチフェロイック材料を有する磁気抵抗センサメモリ

Inventor： マイケル アレン セイグラー
Applicant, Patent owner： シーゲイト テクノロジー エルエルシー
Agent (8)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  清水 邦明 ,  林 鉐三 ,  大日方 和幸 ,  畑中 孝之 ,  岩見 晶啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008238111
Publication number (International publication number)：2009093781
Application date： Sep. 17, 2008
Publication date： Apr. 30, 2009
Summary：

【課題】選択されたメモリセルと同一の行又は列にある他のメモリセルについては高い雑音余裕を確保しつつ、選択されたメモリセルに書き込むことができるメモリセルを提供することにある。【解決手段】メモリセルは、自由層を有する層を含む磁気抵抗センサを含んでいる。磁気抵抗センサは、読出し間隔の間に、メモリセルに格納されたデータを表す読出し電流を導通する。第一書込み導線は、自由層内にデータを書き込む書込み電流を流す。少なくとも一つの層は、マルチフェロイック材料から形成されたマルチフェロイック層を含んでいる。【選択図】図1C

Claim (excerpt)：

自由層を有する層を含む磁気抵抗センサであって、読み出し期間中に、メモリセルに格納されたデータを表す読出し電流を導通する磁気抵抗センサと、 自由層にデータを書き込む書込み電流を流す第一書込み導線とを含むメモリセルであって、層の少なくとも1つはマルチフェロイック材料から形成されたマルチフェロイック層を含むことを特徴とするメモリセル。

IPC (3)：

G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (2)：

G11C11/15 112 ,  H01L27/10 447

F-Term (10)：

4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119EE03 ,  4M119EE04 ,  4M119HH20