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J-GLOBAL ID：200903037166378970

磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ

Inventor： 林 一彦 ,  中田 正文
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996290307
Publication number (International publication number)：1998135038
Application date： Oct. 31, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】 反強磁性層から固定磁性層へ印加される交換結合磁界が大きく、R-Hループ上のヒステリシスが小さく、さらに100〜200°C付近での反強磁性体中の副格子磁化が外部磁界に対して安定であり、したがって良好な再生特性が得られるMR素子を提供する。【解決手段】 フリー磁性層107/非磁性層105/固定磁性層103/反強磁性層102という構成をもつMR素子において、飽和磁化と膜厚との積が2×10-9T・mである固定磁性層103を用いる。固定磁性層103としては、フェリ磁性材料、又はランタノイド元素をベースとしたグループとFe,Co,Niをベースとしたグループとの合金材料を用いる。

Claim (excerpt)：

フリー磁性層、非磁性層、固定磁性層及び反強磁性層がこの順又はこの逆の順に積層された磁気抵抗効果素子において、前記固定磁性層は飽和磁化と膜厚との積が2×10-9T・mであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z