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J-GLOBAL ID：200903037167411432

シリコンワイヤの製造方法

Inventor： ▲ヨウ▼ ▲ハン▼ ,  徐 立国 ,  ▲ハン▼ 守善
Applicant, Patent owner： 鴻富錦精密工業(深▲セン▼)有限公司 ,  ツィンファ ユニバーシティ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007004778
Publication number (International publication number)：2007186416
Application date： Jan. 12, 2007
Publication date： Jul. 26, 2007
Summary：

【課題】本発明は、銅を触媒としてシリコンワイヤを成長する方法に関する。【解決手段】本発明に係るシリコンワイヤの成長方法は、基材を提供する段階と、前記基材に複数の銅粒子からなる触媒層を形成する段階と、700Torrの圧力で、保護ガス及び反応ガスを導入して、前記触媒層が形成された前記基材を450°C以上程度に加熱して、前記基材にシリコンワイヤを成長させる段階と、を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基材を提供する段階と、 前記基材に複数の銅粒子からなる触媒層を形成する段階と、 700Torrの圧力で、保護ガス及び反応ガスを導入して、前記触媒層が形成された前記基材を450°C以上程度に加熱して、前記基材にシリコンワイヤを成長させる段階と、 を含むことを特徴とするシリコンワイヤの成長方法。

IPC (2)：

C01B 33/029 ,  H01L 21/285

FI (2)：

C01B33/029 ,  H01L21/285 C

F-Term (15)：

4G072AA01 ,  4G072BB04 ,  4G072BB20 ,  4G072HH04 ,  4G072KK11 ,  4G072LL03 ,  4G072MM01 ,  4G072RR01 ,  4G072RR04 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01 ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104DD43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 珪素-セレン化亜鉛接合ナノワイヤーの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-203827   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (1)

• 珪素-セレン化亜鉛接合ナノワイヤーの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-203827   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構