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J-GLOBAL ID:200903037172602394

ビアフィリング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小野 信夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000342784
Publication number (International publication number):2001200386
Application date: Nov. 10, 2000
Publication date: Jul. 24, 2001
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 簡単な操作で、効率よくビアフィリングを形成する技術を提供すること。【解決手段】 ブラインドビアホールを有する基板を導電化処理した後、下記成分(A)〜(E)を含有する酸性銅めっき浴でめっきすることを特徴とするビアフィリング方法。(A)100〜300g/Lの硫酸銅、(B)30〜150g/Lの硫酸(C)10〜1000mg/Lの、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤等の第1の成分(ポリマー成分)、(D)0.1〜20mg/Lの、スルホアルキルスルホン酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物等の第2の成分(キャリアー成分)、(E)0.05〜10mg/Lの、ポリアルキレンイミン、1-ヒドロキシエチル-2-アルキルイミダゾリンクロライド、オーラミンおよびその誘導体等の第3の成分(レベラー成分)穴が銅で埋まった割合は、めっき厚さaを厚さbで割った百分率で表わす。
Claim (excerpt):
ブラインドビアホールを有する基板を導電化処理した後、次の成分(A)〜(E)(A)100〜300g/Lの硫酸銅(B) 30〜150g/Lの硫酸(C)10〜1000mg/Lの、ポリプロピレングリコール、プルロニック型界面活性剤、テトロニック型界面活性剤、ポリエチレングリコール・グリセリルエーテルまたはポリエチレングリコール・ジアルキルエーテルから選ばれる第1の成分、(D)0.1〜20mg/Lの、スルホアルキルスルホン酸ナトリウム、ビススルホ有機化合物およびジチオカルバミン酸誘導体から選ばれる第2の成分、(E)0.05〜10mg/Lの、ポリアルキレンイミン、1-ヒドロキシエチル-2-アルキルイミダゾリンクロライド、オーラミンおよびその誘導体、メチルバイオレットおよびその誘導体、クリスタルバイオレットおよびその誘導体並びにヤノスブラックおよびその誘導体から選ばれる第3の成分を含有する酸性銅めっき浴でめっきすることを特徴とするビアフィリング方法。
IPC (4):
C25D 3/38 101 ,  C25D 5/34 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/40
FI (4):
C25D 3/38 101 ,  C25D 5/34 ,  C25D 7/00 J ,  H05K 3/40 K
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
  • 電子装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-095684   Applicant:株式会社日立製作所
  • ビアフィリング方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-172781   Applicant:本間英夫, 荏原ユージライト株式会社
  • ビアフィリング方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-213873   Applicant:本間英夫, 荏原ユージライト株式会社
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