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J-GLOBAL ID：200903037192201663

電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： ルイス・ル-チェン・スー ,  ジャック・アラン・マンデルマン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999005079
Publication number (International publication number)：1999251579
Application date： Jan. 12, 1999
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 実質的に分離されたボディを有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 本発明の電界効果トランジスタは、半導体基板16と電荷キャリアの交換を可能にするネック領域13を経て、半導体基板と接触する、半導体材料よりなる実質的に電気的に分離された領域に形成されたデバイス領域17を有している。トランジスタのデバイス領域は、ネック領域以外の面で基板との電気的接触から分離されている。

Claim (excerpt)：

基板と電荷キャリアの交換を可能にするネック領域を経て、半導体を含む基板と接触する、半導体材料よりなる実質的に電気的に分離されたデバイス領域を備え、このデバイス領域は、前記ネック領域以外の面では前記基板との電気的接触から分離されており、前記デバイス領域の中央部に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域と電気的に接触するソース領域およびドレイン領域と、前記チャネル領域に結合され、前記ソース領域とドレイン領域との間の電流を変調するように動作するゲートと、を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-125667
  
• 特開平1-276669
  
• 特開昭63-314870
  
• 特開平2-130852