Pat

J-GLOBAL ID：200903037195911025

リッジ型分布帰還半導体レーザ

Inventor： ▼たか▲木 和久 ,  白井 聡 ,  青柳 利隆 ,  立岡 靖晃 ,  綿谷 力 ,  花巻 吉彦
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (3)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003404391
Publication number (International publication number)：2005166998
Application date： Dec. 03, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】 レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。【解決手段】 n-InP基板101の上方に形成されたn-InGaAsP回折格子層112と、この回折格子層112の上方に形成されたAlGaInAs-MQW活性層103と、この活性層103の上に形成され、p-InPクラッド層106およびp-InGaAsコンタクト層108を備えたリッジ部114とを有する。ここで、回折格子層112のバンドギャップエネルギーに相当する波長λgとレーザ光の発振波長λとは、λ-150nm<λg<λ+100nmの関係を満たす。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

n型の半導体基板と、 前記半導体基板の上方に形成されたn型の回折格子層と、 前記回折格子層の上方に形成され、多重量子井戸構造を含む活性層と、 前記活性層の上に形成され、p型のクラッド層およびp型のコンタクト層を備えたリッジ部とを有し、 前記回折格子層のバンドギャップエネルギーに相当する波長λgとレーザ光の発振波長λとが式(1) λ-150nm<λg<λ+100nm ・・・(1) の関係を満たすことを特徴とするリッジ型分布帰還半導体レーザ。

IPC (1)：

H01S5/22

FI (1)：

H01S5/22

F-Term (10)：

5F073AA03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA64 ,  5F073BA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24