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J-GLOBAL ID：200903037202372445

ダイヤモンド整流素子

Inventor： 宮田 浩一 ,  斉藤 公続 ,  デービッド・レイン・ドレイフェス
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所 ,  コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993315586
Publication number (International publication number)：1995050424
Application date： Dec. 15, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電気的特性が優れていると共に、大量生産が可能で低コストのダイヤモンド整流素子を提供する。【構成】 基板のシリコンウエハ1の上に、気相合成によって下地層としての絶縁性ダイヤモンド薄膜2と、動作層としての半導体ダイヤモンド薄膜3が形成されている。そして、この半導体ダイヤモンド薄膜3の上にAu/Ti積層オーミック電極5が形成され、更に、半導体層3の上に絶縁性ダイヤモンド薄膜4を介してAu電極6が形成されている。このダイヤモンド薄膜は、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、各結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を同時に満足する高配向性膜である。

Claim (excerpt)：

気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜からなる半導体層と、この半導体層の一方の面側に又は前記半導体層を挟むように設けられた1対の電極とを有するダイヤモンド整流素子において、前記ダイヤモンド薄膜は、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面について、各結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を同時に満足する高配向性膜であることを特徴とするダイヤモンド整流素子。

IPC (2)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-278474
  
• 特開平4-026161
  
• 特開平3-120865
  
• 特開昭63-224225