Pat

J-GLOBAL ID：200903037262675536

発光デバイス用ヘテロ接合素子

Inventor： 前田 泰宏
Applicant, Patent owner： 日新製鋼株式会社
Agent (1)： 小橋 信淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992280769
Publication number (International publication number)：1994112525
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ヘテロ接合でのエネルギー障壁にキャリア移動を制御する作用をもたせ、広禁制帯幅材料の一方に透明導電膜の使用を可能にした発光素子を得る。【構成】 p型SiC基板1にn型SiC層2を設け、p-n接合を形成する。n型SiC層2に、ヘテロ接合によるエネルギー障壁でキャリアを閉じ込めるようにキャリア濃度が制御された透明導電膜3をヘテロ接合する。透明導電膜3には、キャリア濃度を増加させた第2の透明導電膜4を更に積層してもよい。【効果】 外部から注入されp-n接合部で発光再結合に働くキャリアをヘテロ接合によるエネルギー障壁で閉じ込め、発光効率を向上させる。

Claim (excerpt)：

p型SiC基板と、該p型SiC基板にホモ接合されたn型SiC層と、該n型SiC層にヘテロ接合された透明導電膜を備え、前記ヘテロ接合によるエネルギー障壁でキャリアを閉じ込めるように前記透明導電膜のキャリア濃度を制御していることを特徴とする発光デバイス用ヘテロ接合素子。