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J-GLOBAL ID：200903037266693776

含フッ素重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物、反射防止膜材料、レジスト材料

Inventor： 小森谷 治彦 ,  角田 真一 ,  大谷 充孝 ,  前田 一彦
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002125505
Publication number (International publication number)：2003238620
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Aug. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高いフッ素含量を有しながら、同一分子内に極性基を持たせることで、幅広い波長領域すなわち真空紫外線から光通信波長域にいたるまで高い透明性と低屈折率性を有し、かつ基板への密着性、高い成膜性、エッチング耐性を併せ持つ新規な重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物、さらにはその高分子化合物を用いた反射防止用コーティング材料、レジスト材料を提供する。【解決手段】 一般式(1)【化1】(式中、R1、R2はCH3またはCF3を表し、R3、R4は水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基、芳香環を有する環状体、または酸脱離基であって、酸素、カルボニル等の結合を含んでも良い。)で表される重合性単量体とその製造方法、それを用いて重合または共重合した高分子化合物、さらにそれを用いた反射防止材料またはレジスト材料。

Claim (excerpt)：

一般式(1)の構造を有する含フッ素重合性単量体(式中、R1、R2はメチル基またはトリフルオロメチル基を表し、R3、R4は水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基またはフッ素化されたアルキル基、芳香環を有する環状体、または酸脱離基であって、酸素原子、カルボニル結合を含んでも良い)。【化1】

IPC (9)：

C08F 12/14 ,  C07C 29/58 ,  C07C 33/48 ,  C07C 41/24 ,  C07C 43/176 ,  C07C 68/00 ,  C07C 69/96 ,  G03F 7/033 ,  C07B 61/00 300

FI (9)：

C08F 12/14 ,  C07C 29/58 ,  C07C 33/48 ,  C07C 41/24 ,  C07C 43/176 ,  C07C 68/00 Z ,  C07C 69/96 Z ,  G03F 7/033 ,  C07B 61/00 300

F-Term (59)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006AC24 ,  4H006AC30 ,  4H006BA09 ,  4H006BA37 ,  4H006BA64 ,  4H006BA67 ,  4H006BE53 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BN10 ,  4H006FC52 ,  4H006FE11 ,  4H006FE71 ,  4H006FE74 ,  4H006GP01 ,  4H006KD10 ,  4H039CA10 ,  4H039CA20 ,  4H039CA53 ,  4H039CD10 ,  4H039CG20 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AC22Q ,  4J100AE09Q ,  4J100AE18R ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AM02R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA04P ,  4J100BA04Q ,  4J100BB07Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09Q ,  4J100JA32 ,  4J100JA37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-182430   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-182417   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-128529   Applicant：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 特開平4-161405
  
• スチレン誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265050   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-170197   Applicant：セントラル硝子株式会社, 信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社