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J-GLOBAL ID：200903037293372167
化学気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992060513
Publication number (International publication number)：1993267182
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：
【要約】【目的】 液体ないし固体(粉体)の原料を用いてこれらの気化ないし昇華したガスをキャリアガスにて反応チャンバへ導入する化学的気相成長装置(CVD装置)に関し、液化ないし固化し易いガスを反応チャンバへガス状態を維持して、噴射孔の閉塞を招くことなく供給できるようにしたCVD装置を提供する。【構成】 反応チャンバ1と、基板7を担持する基板加熱ホルダー2と、中央上方に設けられた反応促進のエネルギー照射装置3〔紫外光ランプ8またはECRプラズマ発生装置11〕と、該反応チャンバ1の側壁上部に取り付けられた円環状管であって、多数の小さい噴射孔を有するガス噴射リング4と、反応ガスをキャリアガスによって反応チャンバ1内に導入するために、ガス噴射リング4に接続された導入管5と、からなるCVD装置において、導入管5がガス噴射リング4に、リング接線方向での配列で接続されているように構成する。
Claim (excerpt)：
下記要素:排気系に繋がった反応チャンバ(1)と、該反応チャンバ(1)の内部の中央部に基板(7)を担持する基板加熱ホルダー(2)と、該反応チャンバ(1)の中央上方に設けられた反応促進のエネルギー照射装置(3)と、該反応チャンバ(1)の内部で側壁上部に取り付けられた円環状管であって、配置された前記基板に向けられた多数の小さい噴射孔(9)を有するガス噴射リング(4)と、液体の気化ガスまたは固体の昇華ガスをキャリアガスによって反応チャンバ(1)内に導入するために、前記ガス噴射リング(4)に接続された導入管(5)と、からなる化学気相成長装置において、前記導入管(5)が前記ガス噴射リング(4)に、リング接線方向での配列で接続されていることを特徴とする化学気相成長装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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