Pat

J-GLOBAL ID：200903037303494614

ガラス封止型半導体装置の製造方法

Inventor： 松浦 巧 ,  小原 哲治 ,  細江 英之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993263574
Publication number (International publication number)：1995122670
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 封止信頼性の高いガラス封止型半導体装置の製造方法の提供。【構成】 ガラス封止型半導体装置は、セラミックのベース3上にガラス層5を介してキャップ4が封着された構造となる。封止前のキャップ4は、その接着面側中央にキャビティ9が設けられているとともに、このキャビティ9の周囲の接着面12にはキャップ4の外縁に至るスリット14が設けられている。封止時、前記スリット14はガス放出孔30を形成し、このガス放出孔30からベース3とキャップ4とによって形成された中空部7内の膨張したガスを外部に抜けさせる。膨張分のガスの抜けの後に封止が完了する。中空部7に配線層の腐食を促進させるようなガスが殆ど存在しなくなり、封止信頼性が高くなる。

Claim (excerpt)：

主面に半導体チップ等を搭載してなるベースを用意する工程と、前記ベースの主面側にキャップを重ねて前記半導体チップ等を被う工程と、前記ベースおよび/またはキャップの接着面にあらかじめ設けられたガラスを溶融して前記ベースにキャップを気密的に封止する工程とを有するガラス封止型半導体装置の製造方法であって、前記ベースとキャップを重ね合わせた際形成された中空部とパッケージ外とを連通するガス放出孔が形成されるように凹凸部を前記ベースおよび/またはキャップの接着面に設けておき、その後封止を行うことを特徴とするガラス封止型半導体装置の製造方法。