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J-GLOBAL ID：200903037308311747

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 皷谷 昭彦 ,  福田 憲司 ,  中野 正 ,  内住 秀昭
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994291657
Publication number (International publication number)：1996051108
Application date： Nov. 25, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 層間膜の耐透水性を向上させて水分の拡散浸透を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 金属配線11が形成された後、窒素元素(N)を含むガスによるプラズマが基板表面に照射される。このプラズマ照射により、BPSG膜10の表面に窒素を含んだ耐透水性の良い絶縁膜12が形成される。その後、基板表面にP-TEOS膜13が形成される。次に、再び窒素元素を含むガスによるプラズマを再度基板表面に照射する。このプラズマ照射により、P-TEOS膜13の表面に窒素を含んだ耐透水性の良い絶縁膜14が形成される。次に、この絶縁膜14上にO3 TEOS膜15およびSOG膜16が順次形成される。

Claim (excerpt)：

層間絶縁膜を形成する第1の工程と、この層間絶縁膜の表面を洗浄する第2の工程と、この層間絶縁膜上に金属膜を形成する第3の工程と、この金属膜をパターニングして配線を形成する第4の工程と、この配線の形成後に窒素または窒素元素を含むガスによるプラズマを照射する第5の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/90 M ,  H01L 29/78 301 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-111648
  
• 特開平4-029319
  
• 特開平1-154536
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-324607   Applicant：三菱電機株式会社