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J-GLOBAL ID：200903037311680478

窒化ガリウム系半導体の製造方法

Inventor： 長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  上村 信行 ,  原 義博 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996310333
Publication number (International publication number)：1998150245
Application date： Nov. 21, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低転位密度,低歪の高品質GaN結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板60上でAlxGa1-xNバッファ層63を成長することにより、サファイア基板60とGaN層62の熱膨張係数差による歪を緩和することができるため、従来よりも転位密度を約1/100(107cm-2)、歪を約1/50(8×107dyn/cm2)に低減した高品質GaN系発光素子を製造することができる。特にバッファ層63の組成をx=0.12、膜厚を2μm以上とした場合には、最大限の歪低減と転位同士の相互消滅作用も生じるため、この効果が顕著に現れる。また、クラックの発生も抑制され製造歩留りの向上に大きく寄与する。これにより、電気的,光学的特性に優れた高品質GaN系発光素子がサファイア基板で製造することが可能になる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上への窒化ガリウム(GaN)系半導体の結晶成長方法であって、AlxGa1-xNバッファ層のAl組成xを0.10≦x≦0.14として成長する工程を有するGaN系半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C