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J-GLOBAL ID：200903037341224167
窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320804
Publication number (International publication number)：1996181077
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 GaAs基板上に形成する窒化物系III-V族化合物半導体の結晶性および表面モフォロジーを改善し、窒化ガリウム系化合物を安定に成長する。【構成】 GaAs基板11上に、350°C以上530°C以下の温度で、1nm以上50nm以下の膜厚で第1のGaN層12aを形成し、続いて、530°Cから900°Cの温度を連続またはステップ上に変えて第1のGaN層12bを形成する。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上にハイドライド気相成長法を用いて窒化物系III-V族化合物半導体結晶を成長させる窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法において、前記GaAs基板上に第1の窒化物系III-V族化合物半導体結晶であるGaN単結晶を350°C以上、530°C以下の成長温度で、1nmから50nmの膜厚で形成した後、前記第1の窒化物系III-V族化合物半導体結晶上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体結晶を成長させることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
