窒化物半導体電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：眞鍋潔 , 柏谷昭司 , 渡邊弘一 , 伊藤壽郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005270903
Publication number (International publication number)：2007081346
Application date： Sep. 16, 2005
Publication date： Mar. 29, 2007
Summary：

【課題】窒化物半導体電界効果トランジスタに関し、ゲートリーク電流を低減するとともに、優れた高出力特性を実現する。【解決手段】窒化物半導体電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜2をハロゲン化物で構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁膜が、ハロゲン化物からなることを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/78 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (4)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 301B , H01L29/78 301J , H01L29/80 H

F-Term (48)：

5F102FA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19 , 5F102HC21 , 5F140AA01 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AC00 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BB15 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE09 , 5F140BF05 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-225077 Applicant：ソニー株式会社
窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-421001 Applicant：日本電気株式会社, 古河電気工業株式会社
特開平2-250376

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