光電変換装置及び撮像装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002130554
Publication number (International publication number)：2003324191
Application date： May. 02, 2002
Publication date： Nov. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】フォトダイオード近傍の配線層においてHIGH状態が続くと、配線層下のチャネルストップ層に接する部分の濃度が実効的に下がり、少数キャリアの濃度が高くなる結果、この少数キャリアがフォトダイオード中に拡散しS/Nを劣化させてしまう。【解決手段】光電変換部と、前記光電変換部に隣接する素子と前記光電変換部との間に形成され下部にチャネルストップ部が形成された素子分離部と、前記光電変換部の電荷を読み出すための増幅トランジスタとを有し、前記増幅トランジスタの読み出し動作時のドレイン電圧が第1の電圧である光電変換装置であって、前記素子分離部上に形成され前記増幅トランジスタのゲートの一部を構成する導電体配線部と、前記導電帯配線部の電位を、前記第1の電位と前記第1の電位よりも低い第2の電位との間で切替えるための電位切替手段とを備え、前記光電変換部が電荷蓄積状態にある場合に、前記電位切替手段が、前記導電体配線部の電位を前記第2の電位に設定する。

Claim (excerpt)：

Vsの電位を有する第1導電型の第1の半導体領域中に第2導電型の第2の半導体領域を形成することにより得られた光電変換部と、前記光電変換部と隣接する素子との間に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜の下部に位置する前記第1の半導体領域の濃度よりも高い第1導電型の第3の半導体領域と、前記素子分離絶縁膜上の一部に形成された少なくとも1つ以上の導電体層と、前記光電変換部の電荷を読み出す前記第2の半導体領域中に形成されたソースフォロアアンプとを有し、前記ソースフォロアアンプの読み出し動作時のドレイン電圧がVdである光電変換装置において、前記光電変換部が蓄積状態にあるときに、前記導電体層の全ての電位がVdと異なりかつVsとVdの間の電位にあることを特徴とする光電変換装置。

IPC (3)：

H01L 27/146 , H04N 1/028 , H04N 5/335

FI (4)：

H04N 1/028 Z , H04N 5/335 E , H04N 5/335 P , H01L 27/14 A

F-Term (28)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA09 , 4M118DB09 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118DD20 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 4M118FA26 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118FA42 , 5C024CX03 , 5C024CX32 , 5C024GX07 , 5C024GY31 , 5C024HX47 , 5C024HX50 , 5C051AA01 , 5C051BA02 , 5C051DB01 , 5C051DB15 , 5C051DB18 , 5C051DC03 , 5C051DE17

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