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J-GLOBAL ID：200903037363147220

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  渡邊 修 ,  武田 隆信
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001341513
Publication number (International publication number)：2003140350
Application date： Nov. 07, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される末端構造を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、有橋環式のアルキレン基及び炭素数6〜10のアリーレン基から選ばれる基であり、R2は酸不安定基である。)【効果】 本発明の高分子化合物を用いたレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、その上特に優れたエッチング耐性を示し、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される末端構造を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、有橋環式のアルキレン基及び炭素数6〜10のアリーレン基から選ばれる基であり、R2は酸不安定基である。)

IPC (4)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F 12/22 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F 12/22 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (38)：

2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100BA02H ,  4J100BA03H ,  4J100BA06H ,  4J100BA15H ,  4J100BA20H ,  4J100BA22H ,  4J100BA76P ,  4J100BC03H ,  4J100BC08H ,  4J100BC43H ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA39 ,  4J100FA02 ,  4J100FA03 ,  4J100FA08 ,  4J100HA08 ,  4J100HC08 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ポリスチレン系高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-299178   Applicant：信越化学工業株式会社