発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999252776
Publication number (International publication number)：2001077474
Application date： Sep. 07, 1999
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】作製と駆動制御が容易であり、低コストで、形状、サイズに制限がない発光素子、点光源でなく面光源として使用できる発光素子、広範囲の光学ギャップが自由に選べ、優れた発光特性を有し、かつ、高速応答性かつ耐環境特性や耐高温度特性を有し光学的に活性である発光素子を提供すること。【解決手段】第一の電極の上に、少なくとも、Al、Ga、Inから選ばれる少なくとも一つの元素、及びチッ素を含む非単結晶光半導体からなる発光層と、第二の電極とを順次設けてなることを特徴とする発光素子である。

Claim (excerpt)：

第一の電極の上に、少なくとも、Al、Ga、Inから選ばれる少なくとも一つの元素、及びチッ素を含む非単結晶光半導体からなる発光層と、第二の電極とを順次設けてなることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/30 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/30 , H01L 33/00 A

F-Term (17)：

5F041AA21 , 5F041CA03 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA50 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA81 , 5F041CA99 , 5F073CA17 , 5F073CB05 , 5F073CB14 , 5F073CB18 , 5F073CB21 , 5F073EA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

微結晶化合物光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-051931 Applicant：富士ゼロックス株式会社
化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-273392 Applicant：株式会社東芝
発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-073938 Applicant：昭和電工株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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