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J-GLOBAL ID：200903037371402183

導波路型光デバイスの製造方法及び導波路型光デバイス

Inventor： 岡野 泰典 ,  中村 滋年 ,  ローシャン タプリヤ
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003173269
Publication number (International publication number)：2005010355
Application date： Jun. 18, 2003
Publication date： Jan. 13, 2005
Summary：

【課題】ポリマー導波路の作用部への電界強度を高めるためにポリマーコア層の膜厚が薄い導波路をドライエッチングで形成する場合でも、ポリマーコア層のエッチング終了時にエッチング残渣などを生じることなく、良好なドライエッチングを行うことが可能な導波路型光デバイスの製造方法の提供、及びこの製造方法により得られる、EO効果の高い導波路型光デバイスの提供である。【解決手段】ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第1、第2、及び第3のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、 前記コア層の表面にエッチングマスク層を形成する工程と、該エッチングマスク層表面にフォトレジストパターンを形成する工程と、第1のエッチングガスで前記エッチングマスク層をパターニングしてエッチングマスクとする工程と、該パターニングしたエッチングマスクをマスクとして第2のエッチングガスでコア層をパターニングし光導波路とする工程と、第3のエッチングガスで該光導波路表面のエッチングマスクを除去する工程、とを有し、 前記第1、第2、及び第3のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法。

IPC (5)：

G02F1/065 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02F1/361 ,  G02F1/365

FI (5)：

G02F1/065 ,  G02F1/361 ,  G02F1/365 ,  G02B6/12 M ,  G02B6/12 H

F-Term (24)：

2H047KA04 ,  2H047KB09 ,  2H047LA12 ,  2H047NA02 ,  2H047NA08 ,  2H047PA02 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047PA28 ,  2H047QA05 ,  2H047RA08 ,  2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079AA14 ,  2H079BA03 ,  2H079CA05 ,  2H079DA07 ,  2H079EA05 ,  2K002BA06 ,  2K002CA06 ,  2K002DA08 ,  2K002FA17 ,  2K002FA27 ,  2K002HA13