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J-GLOBAL ID：200903037372144358

ペルチェ冷却半導体検出器

Inventor： 山岡 武博
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993080942
Publication number (International publication number)：1994294872
Application date： Apr. 07, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ひとつのペルチェ素子で半導体検出器と熱シールドを冷却する場合、検出器のみの冷却効率はその分損をすることになる。そのため、検出器としての性能に限界を与えるという問題があった。更に、イオンポンプで高真空に保たれているとはいえ、ペルチェ素子による冷却部分は残留ガスのトラップとなり、検出器やFETの表面に残留ガスがトラップされ、入射X線の妨害や、検出器またはFETの表面漏れ電流の増加などによって検出器としての性能を悪化させるという問題があった。本発明はこの問題を解決することを目的とする。【構成】 熱シールドとして、半導体検出器を冷却するためのペルチェ素子以外のペルチェ素子で冷却されたパイプを熱シールドとして用いる構成とする。【効果】 半導体検出器の冷却効率が改善される。また、この熱シールドは残留ガスの冷却トラップとしても作用するため、半導体検出器やFETへの残留ガスの吸着をかなり防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

放射線を検出するための半導体検出器、半導体検出器を冷却するためのペルチェ素子、ペルチェ素子の放熱のためのヒートシンク、クライオスタットの内部を高真空に保つためのイオンポンプ、ペルチェ素子から離れた場所にある半導体検出器を冷却するための冷却シャフトを有する半導体検出器において、半導体検出器と冷却シャフトの周囲を囲む熱シールドを、半導体検出器を冷却するためのペルチェ素子以外のペルチェ素子を用いて冷却することを特徴とするペルチェ冷却半導体検出器。

IPC (3)：

G01T 1/24 ,  H01L 35/28 ,  H05G 1/26