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J-GLOBAL ID:200903037374083135

交換結合膜および磁気抵抗効果素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須山 佐一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995235244
Publication number (International publication number):1996138935
Application date: Sep. 13, 1995
Publication date: May. 31, 1996
Summary:
【要約】【課題】 大きな交換バイアス磁界を有するとともに、さらには熱安定性をも改善し得る交換結合膜およびこの交換結合膜を具備してなり、安定した出力を長期間にわたって得ることのできる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 第1の反強磁性体膜と、この第1の反強磁性体膜と積層形成される強磁性体膜と、第1の反強磁性体膜と強磁性体膜との界面に形成される第2の反強磁性体膜とを備え、第1の反強磁性体膜は、結晶構造が正方晶系、体心立方晶系およびNaCl系のいずれかに属する系であり、第2の反強磁性体膜は、結晶構造が面心立方晶系のγ-MMn、ただしMはFe、Co、Niから選ばれた少なくとも 1種)からなる合金膜であることを特徴とする交換結合膜、この交換結合膜を具備する磁気抵抗効果素子。
Claim (excerpt):
第1の反強磁性体膜と、この第1の反強磁性体膜と積層形成される強磁性体膜と、前記第1の反強磁性体膜と前記強磁性体膜との界面に形成される第2の反強磁性体膜とを備えた交換結合膜であって、前記第1の反強磁性体膜は、結晶構造が正方晶系、体心立方晶系およびNaCl系の群から選ばれた1種に属する系であり、前記第2の反強磁性体膜は、結晶構造が面心立方晶系のγ-MMnからなることを特徴とする交換結合膜,ただしMはFe、Co、Niの群から選ばれた少なくとも 1種である。
IPC (6):
H01F 10/16 ,  C22C 38/00 303 ,  C23C 14/06 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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