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J-GLOBAL ID：200903037380145444

半導体力学量センサの製造方法

Inventor：
杉浦 真紀子

About 杉浦 真紀子

, 
加納 一彦

About 加納 一彦


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998206836
Publication number (International publication number)：2000040831
Application date： Jul. 22, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】犠牲層エッチングに伴う電極の作成不良を解消することができる半導体力学量センサの製造方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコン基板40と単結晶シリコン基板47を犠牲層41を挟んだ状態で貼り合わせるとともに、単結晶シリコン基板40における不要領域52a,52b,52c,52dを除去し、単結晶シリコン基板40の上に配置した可動および固定電極の電位をとるための電極49に対し、その表面を保護薄膜50で覆った状態で、エッチングにより所定領域の犠牲層41を除去して、単結晶シリコン基板40による梁構造体および固定電極を形成する。犠牲層エッチングの際に、電極49の表面が保護薄膜50で覆われているので、電極(パッド)49がエッチング液に腐食されて電極が消失したり膜厚が薄くなったりすることが回避される。
Claim (excerpt)：
基板の上面において所定間隔を隔てた位置に支持され、可動電極を有し、力学量により変位する梁構造体と、前記基板の上面に固定され、前記梁構造体の可動電極に対向して配置された固定電極とを備えた半導体力学量センサの製造方法であって、半導体基板の上に犠牲層を介して梁構造体および固定電極の形成材料を配置する工程と、梁構造体および固定電極の形成材料の上に配置した可動および固定電極の電位をとるための電極に対し、その表面を保護膜で覆った状態で、エッチングにより所定領域の犠牲層を除去して、梁構造体および固定電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
IPC (2)：
H01L 29/84 ,  G01P 15/125
FI (2)：
H01L 29/84 Z ,  G01P 15/125
F-Term (18)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA22 ,  4M112CA26 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112CA34 ,  4M112CA36 ,  4M112DA02 ,  4M112DA05 ,  4M112DA12 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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