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J-GLOBAL ID：200903037380545167

磁電変換素子およびその製造方法

Inventor： 竹田 敏和 ,  千田 厚生
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Agent (1)： 小森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993106983
Publication number (International publication number)：1994318748
Application date： May. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【構成】 フェライト基板などの磁性体基板上に半導体から成る磁電変換用素子パターンを形成し、磁性体基板の周縁部分に磁電変換用素子パターンに接続された電極膜を形成し、この電極膜形成部分を被い且つ磁性体基板の端面にかけて端子電極6を形成する。【効果】 リードフレームを用いることなく、素子の端子電極を用いてプリント基板上に表面実装可能な磁電変換素子が得られる。

Claim (excerpt)：

磁性体基板上に半導体からなる磁電変換用素子パターンを形成して成る磁電変換素子において、磁性体基板の周縁付近に磁電変換用素子パターンに接続された電極膜が形成され、この電極膜形成部分を覆い且つ磁性体基板の端面にかけて端子電極が形成されたことを特徴とする磁電変換素子。

IPC (5)：

H01L 43/06 ,  G01R 33/06 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 43/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-007985
  
• 特開平4-291971
  
• 特開昭55-024405