金属酸化物半導体薄膜及びその製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001378118
Publication number (International publication number)：2003179242
Application date： Dec. 12, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】大面積低コストな太陽電池、発光素子、その他ある種の半導体デバイスを作製する技術は、環境負荷低減、クリーンな発電や省エネルギーの観点から注目されていることから、迅速に安価で大量に大面積に半導体を作製可能な半導体製造方法の発見が望まれている。【解決手段】本願発明は、半導体のアニオン原子とカチオン原子の双方をその分子構成元素に持つ有機分子をスプレー法、ディップ法、スピンコート法、蒸着法など様々な方法で基板に塗布し、加熱反応させて半導体薄膜を作製する製造方法である。本願発明の製造方法により、p形、n形半導体が得られ、その両者のpn接合により半導体デバイス、発光素子や太陽電池を安価に大量に迅速に大面積に作製することが可能となる。また、その基板として、金属、セラミック、ガラス、耐熱プラスチックその他、焼成温度に耐えられるあらゆる物質を用いることが可能となり、屋根や壁などあらゆる建造物、自動車や航空機などの構造物、その他あらゆる物質上に太陽電池や発光素子、半導体デバイスを直接作り込むことが可能となる。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体薄膜の製造方法において、有機金属を分解酸化することを特徴とする金属酸化物半導体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 , H01L 21/365

FI (2)：

H01L 21/365 , H01L 31/04 E

F-Term (23)：

5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045BB08 , 5F045CA13 , 5F045DP21 , 5F045EB19 , 5F051AA03 , 5F051AA07 , 5F051AA09 , 5F051AA16 , 5F051BA03 , 5F051BA05 , 5F051BA12 , 5F051BA14 , 5F051CB11 , 5F051CB13 , 5F051CB24 , 5F051CB30 , 5F051DA03 , 5F051DA07 , 5F051FA06 , 5F051GA02 , 5F051GA03

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

Return to Previous Page