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J-GLOBAL ID：200903037391748744

半導体装置

Inventor： 藤井 和美 ,  伊藤 雅彦 ,  小林 史朗
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992063592
Publication number (International publication number)：1993267299
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置に関し、低抵抗でかつ高信頼性の電極配線を提供することにある。【構成】 銅配線1表面上に、耐酸化性あるいは耐食性に優れた銅の化合物(Cu-Ni、Cu-N)を、銅の電気的特性あるいは熱的特性を損なわない量形成したもの。

Claim (excerpt)：

半導体チップ内の回路配線および/または電極の材料が銅又は銅合金である半導体装置において、銅より相対酸化量が50%以下の高い耐食性を有する銅の化合物がその表面に被設されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 29/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-192527
  
• 特開平4-350938
  
• 特開平2-125447